Исследование структуры пленок аморфного углерода, модифицированных оксидом кремния
DOI:
https://doi.org/10.31489/2019No1/6-11Ключевые слова:
кремнийсодержащие пленки аморфного углерода, атомно-силовая микроскопия, рамановская спектроскопия, фотолюминесценция, гибридизация связейАннотация
В данной работе рассматриваются пленки аморфного углерода, модифицированные оксидом кремния (а-C1-x:(SiO)х), полученные методом магнетронного ионно-плазменного со-распыления комбинированной мишени в атмосфере аргона. Исследованы топография и фазовый контраст поверхности пленок методом атомно-силовой микроскопии. Изучена локальная структура методом рамановской спектроскопии. Показано, что увеличение концентрации кремния приводит к росту фотолюминесценции. Смещение G пика в низкочастотную область в пленках а-C1-x:(SiO)х указывает на увеличение sp3 гибридизации связей углерода.
Библиографические ссылки
"1 Choyke W.J., Pensl G. Physical Properties of SiC. Material research society Bulletin, 1997, Vol. 22, Issue 3, pp. 25 - 29.
Vasiliev V.A., Volkov A.S., Musabekov E., Terukov E.I. Features of photoluminescence of amorphous hydrogenated carbon (а-С:Н) films. Pisma v jurnal tehnicheskoi fiziki, 1988, Vol. 14, Issue 18, pp. 1675 – 1679.
Konshina E. A. Absorption and the optical gap of a-C:H films produced from acetylene plasmas. Semiconductors, 1999, Vol. 33, Issue 4, pp. 451 – 457.
Ferrari A.C., Robertson J. Raman spectroscopy of amorphous, nanostructured, diamond-like carbon, and nanodiamond. Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. 2004, No. 362, pp.2477 – 2512.
Tomastik J., Ctvrtlik R., Ingr T., Manak J., Opletalova A. Effect of Nitrogen Doping and Temperature on Mechanical Durability of Silicon Carbide Thin Films. Scientific Reports, 2018, Vol. 8, No.10428, pp. 1 – 17.
Ferrari A.C., Robertson J. Interpretation of Raman spectra of disordered and amorphous carbon. Phys. Rev. B, 2000, Vol. 61, No. 20, pp. 14095 – 14107.
"
